源表圖形化SMU

源表圖形化 SMU2461

波形曲線分析解決方案

在 2400 系列圖形化 SMU 上安裝 I-V 記錄器軟件，在功能上替換 Tektronix 576 或 370 等傳統波形記錄器。無需配置掃描或連接到其他軟件，即可快速探尋兩端器件的特征。

詳細了解 Keithley I-V 記錄器

觀看概述

源表圖形化 SMU2461

制造大功率開關

5G、汽車和替代能源市場對更高效高壓半導體的需求促使對 SiC 和 GaN 等新技術的測試和研究日益復雜。您的測試設備需要發展以跟上步伐。

 2470 SMU 在擊穿電壓、泄漏電流、隔離測試、耐壓和介電耐壓測試等測量方面增加了多項功能，可讓您更快地了解情況。

源表圖形化 SMU2461

使測量登上全新高度

SMU 儀器可捕獲更詳細的設備行為，并在擴展范圍內檢定設備，因此您能更好地了解設備，提高其質量，改善其性能。

測試高亮度 LED

特點

• 6? 位**分辨率源和測量
• 1 M 個樣點/秒數字化測量速度
• 電流：10nA - 7A 直流，10A 脈沖
• 電壓：200mV - 200V
• 功率：可達 100W 直流 - 1000W 脈沖

源表圖形化 SMU2461

直觀 UI。 智能且快速。

在直觀、多點觸控用戶界面上能測量、查看和發現更多細節，從原始讀數到直方圖，再到基于時間和基于電壓/電流的波形，并且能更快速地獲得答案。

操作方式視頻

特點

• 五英寸觸摸屏，具有精心設計的顏色組合和屏幕布局
• 簡單的導航和**菜單及設置
• 可存儲 2750 萬個數據，具有時間標記，全部可在儀器上查看

源表圖形化 SMU2461

****的多功能性和投資回報。

SMU 儀器將多功能性提高到一個新高度，適合現今應用和未來**。配置精密電源、6? 位數字萬用表、電流源、電壓源、皮安表、電子負載等。

漏電流和絕緣電阻測量

充電電池充電/放電（電流）循環

源表圖形化 SMU2461

學習更多， 獲得

源測量單元教程學習中心將關于 Keithley SMU 和其他產品的大量信息都放在一個方便的位置。 我們提供指向與我們所服務的應用和行業相關的各種內容的鏈接

源表圖形化 SMU245

降低成本并保護您

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2461 型圖形化 SourceMeter S

2461 型是 Keithley 的下一代 SourceMeter 源測量單元 (SMU) 儀器，可輕松執行歐姆定律（電流、電壓和電阻）測試。其**的圖形用戶界面 (GUI) 和先進的電容式觸摸屏技術讓使用變得非常直觀，并*大程度地減少學習曲線，從而使工程師和科學家能夠更快地學習、更智能地工作且更輕松地進行發明創造

五英寸高分辨率電容式觸摸屏 G

0.012％ 基本測量精度，具有 6? 位分辨

2461 型圖形化高電流 SourceMeter SM

2461 高電流 SourceMeter® 源測量單元 (SMU) 儀器憑借其 7A 直流電流和脈沖電流能力，優化用于檢定和測試大功率材料、器件和模塊，例如碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、DC-DC 轉換器、功率 MOSFET、太陽能電池和電池板、LED 和照明系統、電化學電芯和電池等

2461 型圖形化高電流 SourceMeter SMU

2461 高電流 SourceMeter® 源測量單元 (SMU) 儀器憑借其 7A 直流電流和脈沖電流能力，優化用于檢定和測試大功率材料、器件和模塊，例如碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、DC-DC 轉換器、功率 MOSFET、太陽能電池和電池板、LED 和照明系統、電化學電芯和電池等。

• 覆蓋范圍廣，*高可達 105V，7A DC/7A 脈沖，100W。
• 0.012％ 基本測量精度，具有 6? 位分辨率
• 與 KickStart 軟件結合使用

全新 20mV 和 10nA 源/測量范圍提高了靈敏

內置上下文相關前面板幫

2461 型圖形化高電流數字 SourceMeter SM

2461 高電流 SMU 憑借其 10A/1000W 脈沖電流和 7A/100W 直流電流能力以及雙 18 位 1MS/s 數字轉換器，優化用于檢定和測試高功率材料、器件和模塊，例如碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、DC-DC 轉換器、電路保護設備、太陽能電池和電池板、高亮度 LED 和照明系統、電池等

覆蓋范圍廣，*高可達 105V/7A DC 100W，100V/10A 脈沖 1000

雙 1 MS/s 數字轉換器，用于快速采樣測

0.012% DCV 精度，具有 6? 位分辨

與 KickStart 軟件結合使

2470 型圖形化高壓 SourceMeter SM

2470 高壓 SMU 憑借其 1100V 和 10fA 能力，經優化用于檢定和測試高電壓、低泄漏器件、材料和模塊，如碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)、功率 MOSFET、瞬態抑制器件、電路保護器件、功率模塊和電池等

覆蓋范圍廣，*高可達 1100V/1A DC 20

10fA 測量分辨

0.012% DCV 精度，具有 6? 位分辨

與 KickStart 軟件結合使

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